Veiklos Nr.: MP0805
Veiklos pavadinimas: Novel Gain Materials and Devices Based on III-V-N Compounds;
Naujos šviesą stiprinančios medžiagos ir prietaisai iš III-V-N junginių
COST veiklos MP0805 tinklapis: http://csee.essex.ac.uk/Research/COST_MP805/
Mokslinių tyrimų sritis pagal COST klasifikaciją: Medžiagos, fizika ir nanomokslai
Veiklos vykdymo terminai: Veikla patvirtinta 2008 m. lapkričio 25 d., trukmė – 4 metai.
Bendrieji veiklos tikslai ir uždaviniai: Pagrindinis COST veiklos MP0805 tikslas – naujų dideliu optiniu stiprinimu pasižyminčių nitridinių puslaidininkių tyrimai ir jų auginimo technologijos plėtra. Pasirinktos dvi medžiagų grupės: atmieštieji nitridai ir InGaN su dideliu indžio kiekiu. Tikimasi, kad iš atmieštųjų nitridų pavyks pagaminti našius lazerinius diodus, veikiančius telekomunikacijų sistemose reikalingame bangos ilgių ruože nuo 1,2 iki 1,5 µm. Kita pritaikymo sritis – didelio našumo fotovoltiniai elementai. Tobulinant InGaN su dideliu In kiekiu auginimo technologiją, siekiama sukurti lazerinius diodus, spinduliuojančius ilgabangiškesnėje spektro dalyje nei šiuo metu pramoniniu būdu gaminami mėlyni InGaN lazeriniai diodai. Daug mokslinių grupių įvairiose Europos šalyse atlieka atmieštųjų nitridų ir InGaN su dideliu In kiekiu tyrimus. COST veikla turi sutelkti šias pastangas.
Veiklos darbo grupės:
WG1. Growth and materials development (Auginimas ir medžiagų tobulinimas). Pagrindiniai šios grupės uždaviniai optimizuojant atmieštųjų nitridų epitaksinių sluoksnių ir heterodarinių auginimą bus gardelės konstantų derinimas, ir įtempties heterosabdūrose inžinerija. Numatoma auginti InGaAsN, GaAsSbN, BInGaAs, InP šeimos atmieštuosius nitridus. Didesnio indžio kiekio įterpimas į InGaN junginį yra pagrindinė technologinė antrosios medžiagų grupės problema. Numatyta InGaN sluoksnių su dideliu In kiekiu auginimas ir MBE, ir MOCVD metodais.
WG2. Material and physical characterization (Medžiagos ir jų fizikinis charakterizavimas). Numatomi tyrimai trimis kryptimis: 1) optinės InGaN sluoksnių kokybės tyrimai, 2) elektrinių savybių nustatymas, 3) struktūriniai tyrimai.
WG3. Devices (Prietaisai). Numatoma kurti šių kategorijų prietaisus: 1) vertikalaus rezonatoriaus puslaidininkinius lazerius (VCSEL) telekomunikacijų sistemoms (1,2-1,6 µm), 2) VCSEL lazerius atvirosios erdvės telekomuminacijoms, 3) kietakūnių lazerių modų sichronizavimo elementus, 3) moduliatorius ir fotodiodus, 4) terahercinės spinduliuotės prietaisus, 5) prietaisus, kurių veikimas paremtas balistine krūvininkų pernaša.
WG4. Theory and modelling (Teorija ir modeliavimas). Numatomi darbai trimis kryptimis: 1) optinio stiprinimo ir spontaninės rekombinacijos spartos skaičiavimas InGaN, 2) terahercinės spinduliuotės generavimo modeliavimas, 3) fotojutiklių modeliavimas, 4) atmieštųjų nitridų struktūrinių, elektrinių ir optinių parametrų skaičiavimas.